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壓敏電阻的物理特性：

ＺｎＯ　壓敏電阻的非線性是一種晶粒邊界現(xiàn)象，即在相 鄰晶粒耗盡層中存在多數(shù)電荷載流子（電子）的勢壘。認 為肖特基勢壘像　ＺｎＯ　微結(jié)構(gòu)中晶粒邊界勢壘。晶粒邊界 上的負表面電荷（電子捕獲）是由晶界面兩側(cè)晶粒的耗盡 層的正電荷來補償?shù)摹犭娮影l(fā)射和隧道效應(yīng)是主要的傳 輸機制。 近發(fā)展的壓敏電阻勢壘的晶粒邊界缺陷模型在改進 穩(wěn)電壓應(yīng)力下，壓敏電阻的穩(wěn)定性上取得了很大進展。

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老化的表現(xiàn)：

老化是指在各種外加應(yīng)力及外界因素作用下，其性能及電氣物理參數(shù)發(fā)生改變，逐步偏離其起始性能指標(biāo)。ZnO壓敏電阻器老化后的I-V特性，老化主要集中在預(yù)擊穿區(qū)，而擊穿區(qū)的老化較小，表現(xiàn)為I-V特性曲線在低電場區(qū)向右偏移，阻性電流加大，功率損耗增大，壓敏電壓下降。直流電壓作用后的老化，I-V特性不對稱；交流電壓作用下的老化。另老化后電容量減小，介電損耗增大。

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